方法/步驟
- 過電應力（EOS）：是指元器件承受的電流、電壓應力或功率超過其允許的最大範圍。
- 靜電損傷(ESD)：微電子器件在加工生產、組裝、貯存以及運輸過程中，可能與帶靜電的容器、測試設備及操作人員相接觸，所帶靜電經過器件引腳放電到地，使器件受到損傷或失效。
- 二次擊穿：器件被偏置在某一特殊的工作點時，電壓突然跌落，電流突然上升的物理現象。這時若無限流裝置及其他保護措施，元器件將被燒毀。
- 電遷移（EM）：當器件工作時，金屬互連線內有一定的電流通過，金屬離子會沿導體產生質量的運輸，其結果會使導體的某些部位出現空洞或晶須。
- 機械應力和熱變應力：元器件在生產、運輸、安裝和焊接等過程中受到外來的機械和熱應力的作用而失效。
- 柵氧擊穿：在MOS器件及其集成電路中，柵氧化層缺陷會導致柵氧漏電，漏電增加到一定程度即構成擊穿。
- 與時間有關的介質擊穿（TDDB）：施加的電場低於柵氧的本徵擊穿強度，但經歷一定的時 間後仍發生擊穿的現象。這是由於施加應力的過程中，氧化層內產生並聚集了缺陷（陷阱）的 原因。
- 金鋁鍵合失效：由於金-鋁之間的化學勢不同，經長期使用或200℃以上的高溫存儲後，會產 生多種金屬間化合物，如紫斑、白斑等。使鋁層變薄、粘附性下降、接觸電阻增加，最後導致 開路。在300℃高溫下還會產生空洞，即柯肯德爾效應，這種效應是高溫下金向鋁中迅速擴散 並形成化合物，在鍵合點四周出現環形空洞。使鋁膜部分或全部脫離，形成高阻或開路。
- 「爆米花效應」:塑封元器件塑封材料內的水汽在高溫下受熱發生膨脹，使塑封料與金屬框架和晶元間發生分層效應，拉斷鍵合絲，從而發生開路失效。
- 熱擊穿：功率器件晶元與底座粘接或燒結不良，會存在眾多大小不等的空洞，導致器件工作時產生的熱量不能充分往外傳導，形成局部熱點而發生擊穿的現象。
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