顆粒識別c語言,c語言人臉識別

本文目錄一覽：

• 1、如何用C語言編寫探測cpu的程序
• 2、c語言怎麼做?
• 3、晶元解密後可以得到C語言程序么？
• 4、C語言進階04-預防、檢測及消除bug
• 5、內存的顆粒識別，詳解

如何用C語言編寫探測cpu的程序

參考下面的文章：

利用利用CPUID 彙編指令(機器碼:0FH A2H, 如果你的編譯器不支持CPUID 指令，只有emit 機器碼了)， 該指令可以被如下CPU識別:

Intel 486 以上的CPU,

Cyrix M1 以上的CPU,

AMD Am486 以上的CPU

(1) 取CPU OEM 字元串, 判斷CPU 廠商

先讓EAX=0， 再調用CPUID

Inel的CPU將返回:

EBX:756E6547H ‘Genu’

EDX:49656E69H ‘ineI’

ECX:6C65746EH ‘ntel’

EBX,EDX,ECX 將連成”GenuineIntel”, 真正的Intel。

Cyrix 的CPU 將返回:

EBX:43797269H

EDX:78496E73H

ECX:74656164H

“CyrixInstead”，”Cyrix 來代替”。

AMD 的CPU 將返回:

EBX:41757468H

EDX:656E7469H

ECX:63414D44H

“AuthenticAMD”， 可信的AMD。

在Windows98中，用右鍵單擊”我的電腦”，選擇” 屬性- 常規”在計算機描述 處就可看見CPU OEM 字元串。

(2)CPU 到底是幾86, 是否支持MMX

先讓EAX=1，再調用CPUID

EAX的8到11位就表明是幾86

3 – 386

4 – i486

5 – Pentium

6 – Pentium Pro Pentium II

2 – Dual Processors

EDX 的第0位：有無FPU

EDX的第23位:CPU是否支持IA MMX,很重要啊 ！如果你想用那57條新增的指 令,先檢查這一位吧，否則就等著看Windows 的”該程序執行了非法指令，將被關 閉” 吧。

(3) 專門檢測是否P6架構

先讓EAX=1，再調用CPUID

如果AL=1,就是Pentium Pro 或Pentium II

(4) 專門檢測AMD的CPU信息

先讓EAX=80000001H，再調用CPUID

如果EAX=51H, 是AMD K5

如 果EAX=66H, 是K6

EDX第0 位: 是否有FPU( 多餘的 ！誰用過沒FPU的K5,K6?)

EDX 第23 位，CPU是否支持MMX,

程序如下:

//——CPUID Instruction Demo Program————

#include

#include

#pragma hdrstop

//————————————————

#pragma inline

#pragma argsused

int main(int argc, char **argv)

{

char OEMString[13];

int iEAXValue,iEBXValue,iECXValue,iEDXValue;

_asm {

mov eax,0

cpuid

mov DWORD PTR OEMString,ebx

mov DWORD PTR OEMString+4,edx

mov DWORD PTR OEMString+8,ecx

mov BYTE PTR OEMString+12,0

}

cout “This CPU ‘s OEM String is:” OEMString endl;

_asm {

mov eax,1

cpuid

mov iEAXValue,eax

mov iEBXValue,ebx

mov iECXValue,ecx

mov iEDXValue,edx

}

if(iEDXValue0x800000)

cout “This is MMX CPU” endl;

else

cout “None MMX Support.” endl;

int iCPUFamily=(0xf00 iEAXValue) 8;

cout “CPU Family is:” iCPUFamily endl;

_asm{

mov eax,2

CPUID

}

if(_AL==1)

cout “Pentium Pro or Pentium II Found”;

getch();

return 0;

}

最後，最好學會自己去搜索你需要的信息，

我上面的答案也是搜索來的。

關鍵字「C語言 CPU 信息」

c語言怎麼做?

int a = b[0][0];

for(int i = 0;i3;i++)

    for(int j=0;j4;j++)

    {

        if(a  b[i][j])

            a = b[i][j];

     }

晶元解密後可以得到C語言程序么？

不可能得到。

就算解密，得到的也是編譯後的二進位文件。

源代碼是不可能得到的，也是沒法修改的。

C語言進階04-預防、檢測及消除bug

01

開發軟體不等於編碼

寫程序時會有”編碼–測試–調試”的習慣.很不幸,這是開發軟體的錯誤方法.專業的程序員會使用策略來預防、檢測及消除軟體bug.編碼不是在開發軟體.編碼的意思是在文本編輯器中輸入語句.編碼只是開發軟體的小部分.開發軟體需要編程前、編程中、編程後的許多步驟.下面分著講解.

02

編程前

1、了解需求.

2、考慮可能的輸入和期望的輸出.

3、識別出有效但非期望的輸入和正確的輸出.這是對於開發可靠的軟體而言是一個關鍵點.

4、識別出無效輸入並找到檢測它們的方法.要注意即使輸入無效的數據時,程序也不能奔潰.

5、想出解決辦法,並記錄.

6、設計程序,可以節省大量的時間.

03

編程中

1、若想正確且更快的完成程序, 就寫更多的代碼.為了滿足一個要求而把代碼放到一個更大的程序之前,寫一個小程序來測試你的解決方案.即單元測試.

2、使用自動縮進的文本編輯器可以幫你檢查代碼是否對齊,可以節省寶貴的時間.

3、在運行之前一行一行的讀代碼.可以幫你找到通過測試很難發現的問題.

4、自己想一些測試例子. 若自己不知道自己寫的代碼,則計算機也不知道.

5、盡量使用函數來重構代碼,避免複製代碼.

6、要用版本控制系統(這不是廢話嗎).

7、編譯時,警告信息也不要放過.

04

編程後

不要依賴測試,測試只會告訴你程序沒有正常工作,不會告訴你程序真的在正常運行.很可能測試用例沒有涵蓋所有可能的方案.通過測試用例涵蓋所有可能的方案是很困難的.

05

常見錯誤

未初始化變數: 一些人認為所有的變數都會自動初始化為0,C語言中不會初始化.通過測試很難測試出來.

錯誤數據類型: 需要理解並正確地使用類型,編程語言的趨勢是讓數據類型更有限制性,防止犯意外的錯誤.

06

後執行式和互動式調試

調試一個程序分為幾個階段, 舉個列子:

1、從一個文件中讀取一些整數;

2、把整數排序;

3、把排好序的整數存到另一個文件中;

單元測試: 在上面三部整合之前測試每一部分叫作單元測試.

對於單元測試,經常需要寫一些額外的代碼,作為單獨部分的”驅動”.調試可能是互動式或後執行式的.若程序會花費幾個小時,你就不會想要用互動式來調試這個程序了.相反,你會想要程序列印出調試信息,即日誌.

對互動式調試而言列印調試信息存在多個問題:

1、需要插入代碼來列印調試信息.多數情況下,調試信息必須在隨後被移除,因為此信息不應該出現在最終的代碼和它的輸出中.

2、如果有很少的信息,那麼就會缺少足夠的信息幫助你判斷哪裡錯了.

3、如果信息太多,可以忽略不相關的信息,獲得好信息是很困難的.

4、最糟糕的是,問題可能會出現在意想不到的地方,而那裡卻並未插入調試信息.結果就是添加越來越多的調試信息.這是很耗時的.

07

生產代碼與測試代碼分離

自己應該能檢測出自身bug的程序.編寫程序之前就應該考慮編寫測試代碼.這是普遍的做法,這個稱為 測試驅動的開發. 開發的時候需要將測試代碼和開發代碼分開,這樣可以隨意刪除測試代碼.

內存的顆粒識別，詳解

您好，現在內存顆粒主要有以下廠家的產品：

samsung(三星),elpida（爾必達）,hynix,（現代）nanya,（藍牙）infineon，（英飛凌）

在內存顆粒上都會有用激光蝕刻上去的相應的logo,您可以看得到，具體各個廠家的產品編碼序列號的意思可以參考下面的內容：

DDR SDRAM：

HYNIX DDR SDRAM顆粒編號：

HY XX X XX XX X X X X X X X – XX X

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 – 13 14

整個DDR

SDRAM顆粒的編號，一共是由14組數字或字母組成，他們分別代表內存的一個重要

參數，了解了他們，就等於了解了現代內存。

顆粒編號解釋如下：

1． HY是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現代製造的產品。

2． 內存晶元類型：（5D=DDR SDRAM）

3． 處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V

VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V VDDQ=1.8V）

4． 晶元容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M

4K刷新；56：256M

8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5． 內存條晶元結構：（4＝4顆晶元；8＝8顆晶元；16＝16顆晶元；32＝32顆芯

片）

6． 內存bank（儲蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7． 介面類型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）

8． 內核代號：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10．封裝類型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11．封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=MT；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU

＝MCP（UTC））

12．封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素）

13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2

-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14．工作溫度：（I=工業常溫（-40 – 85度）；E=擴展溫度（-25 – 85度））

由上面14條註解，我們不難發現，其實最終我們只需要記住2、3、6、13等幾處數

字的實際含義，就能輕鬆實現對使用現代DDR SDRAM內存顆粒的產品進行辨別。尤

其是第13位數字，它將明確的告訴消費者，這款內存實際的最高工作狀態是多少

。假如，消費者買到一款這裡顯示為L的產品（也就是說，它只支持DDR200）

註：有的編碼沒有那麼長，但幾個根本的數字還是有的

LGS的內存可以說是目前市場上見到的最多，也是最廣泛的內存了，所以LGS應該

首先排第一位。

LGS的內存編碼規則：

GM 72 X XX XX X X X X X XXX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

定義：

1、GM代表LGS公司。

2、72代表SDRAM。

3、V代表3V電壓。

4、內存單位容量和刷新單位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：

128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新。65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新。

5、數據帶寬：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。

6、晶元組成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK

7、I／O界面：一般為1

8、產品系列：從A至F。

9、功耗：空白則是普通，L是低功

10、封裝模式：一般為T（TSOP）

11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL23），10K（10NS[

一說15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）

二、HY（現代HYUNDAI）

現代是韓國著名的內存生產廠，其產品在國內的佔用量也很大。

HY的編碼規則：

HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

定義：

1、HY代表現代。

2、一般是57，代表SDRAM。

3、工藝：空白則是5V，V是3V。

4、內存單位容量和刷新單位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K

刷新；128：128M， 8K刷新；129：128M，4K刷新。

5、數據帶寬：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位。

6、晶元組成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；

7、I／O界面：一般為0

8、產品線：從A－D系列

9、功率：空白則為普通，L為低功耗。

10、封裝：一般為TC（TSOP）

11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL23），10S：10NS，（PC100，CL3）

，10：10NS，12： 12NS，15：15NS

三、SEC（三星SAMSUNG）

做為韓國著名的電器廠商，三星的重要性不必多說，在內存方面，三星的產量雖

然不及上兩者大，但是三星一直專註於高品質、高性能的產品。三星的標識不是

很容易的就可以讀出來，而且三星的產品線較全，所以品種非常多，此處僅供普

通SDRAM參考。

SEC編碼規則：

KM4 XX S XX 0 X X XT－XX

1 2 3 4 5 6 7 89 10 11

1、KM代表SEC三星，此處編碼一般均為4。

2、數據帶寬：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。

3、一般均為S

4、這個數乘以S前邊的位數就是內存的容量。

5、一般均為0

6、晶元組成：2：2BANK，3：4BANK

7、I／O界面：一般為0

8、版本號

9、封裝模式：一般為T：TSOP

10、功耗：F低耗，G普通

11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL23），L：10NS（CL3），10：10NS。

四、MT（MICRON美凱龍）

美凱龍是美國著名的計算機生產商，同時也是一家計算機設備製造商，其內存的

產品聞名全美國，被廣泛的機器所採用。美凱龍內存的品質優異，但價格較韓國

的產品略高。

MT48 XX XX M XX AX TG－XX X

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

1、MT代表美凱龍MICRON

2、48代表SDRAM。

3、一般為LC：普通SDRAM

4、此數與M後位數相乘即為容量。

5、一般為M

6、位寬：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位

7、AX代表write Recovery(twr)，A2則代表twr=2clk

8、TG代表TSOP封裝模式。

9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X為從A到E：讀取的周期分別是：

333，323，322， 222，222，所以D和E較好），10：10NS

10、如有L則為低功耗，空白則為普通。

五、HITACHI（日立HITACHI）

日立是日本的著名的微電子生產廠，其內存雖然在市場上佔有量不大，但品質還

是不錯的！

HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9

1、HM代表日立。

2、52代表SDRAM，51則為EDO

3、容量

4、位寬：40：4位，80：8位，16：16位

5、一般為5

6、產品系列：A－F

7、功耗：L為低耗，空白則為普通

8、TT為TSOP封裝模式

9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL23），B60：10NS（CL3）

六、SIEMENS（西門子）

西門子是德國最大的產業公司，其產品包羅萬向，西門子的電子產品也是歐洲最

大的品牌之一（另一是PHILIPS）。西門子的內存產品多為台灣的OEM廠商製造的

，產品品質還算不錯。

HYB39S XX XX 0 X T X －X

1 2 3 4 5 6 7 8 9

1、HYB代表西門子

2、39S代表SDRAM

3、容量

4、位寬：40：4位，80：8位，16：16位

5、一般為0

6、產品系列

7、一般為T

8、L為低耗，空白為普通

9、速度：

6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS

七、FUJITSU（富士通FUJITSU）

富士通是日本專業的計算機及外部設備製造商，他的內存產品主要是供應OEM商，

市場上僅有少量零售產品。

MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN

1 2 3 4 5 6 7 8 9

1、MB81代表富士通的SDRAM

2、PC100標準的多為F，普通的內存為1

3、容量

4、位寬：4：位，8：8位，16：16位，32：32位

5、晶元組成：22：2BANK，42：4BANK

6、產品系列

7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL23），103：10NS（CL3

），100：10NS，84： 12NS，67：15NS

八、TOSHIBA（東芝）

東芝是日本著名的電器製造商，其在高端領域也有產品，例如計算機產品及通訊

衛星等等。TOSHIBA的內存產品在市場上見到的不多。

TC59S XX XX X FT X－XX

1 2 3 4 5 6 7 8

1、TC代表東芝

2、59S代表普通SDRAM

3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT

4、位寬：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位

5、產品系列：A－B

6、FT為TSOP封裝模式

7、空白為普通，L為低功耗

8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3）

九、MITSUBISHI（三菱）

三菱是日本的一家汽車製造公司，因其多元化發展，所以在IT業和家電業也有產

品，三菱的微集成電路技術不同一般，所以其在內存領域也佔有一席之地，因為

速度、品質優異，而成為INTEL的PII／PIIICPU的緩存供應商。普通SDRAM方面，

因為較貴，所以市場上少見。

M2 V XX S X 0 X TP－XX X

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

1、M2代表三菱產品

2、I／O界面。一般為V

3、容量

4、一般為S，說明是SDRAM

5、位寬：2：4位，3：8位，4：16位

6、一般為0

7、產品系列

8、TP代表TSOP封裝

9、速度：

8A：8NS，7：10NS（CL23），8：10NS（CL3），10：10NS。

10、空白為普通，L為低耗。